目前DDR5内存还远没有普及到主流。不过DRAM内存芯片的头部厂商已经开始了DDR6的研发。
日前,在南韩水原举行的一次研讨会上,三星负责测试和系统封装的副总裁YounggwanKo表示,为了适应半导体存储器产品的性能增长,封装技术必须不断改进。
在会上,他明确表示,在DDR6内存芯片的开发中,三星将使用MSAP,也就是改良的半加成工艺。
过程).
资料显示,MSAP最初应用于IC载板高精度电路的制造。该技术是先在超薄底铜的基板上贴干膜进行图案转移,然后通过图案电镀加成形成电路,最后去除干膜和底铜完成高精度布线,从而提高PCB的高频高速性能。
与三星目前使用的隆起法相比,MSAP需要在空白部分进行电镀。
Ko,DDR6的存储容量和处理速度将大幅增加,需要更多的堆叠层数,对封装技术来说既是机遇也是挑战。
此外,Ko还承认,在他们之前,朋友们已经在DDR5颗粒上使用了MSAP技术。
事实上,虽然仍是DRAM出货量的老大,但三星在技术发展上确实落后。抛开上述MSAP,1aDRAM芯片的量产进度还不如SK海力士和美光。
值得一提的是,根据早前的爆料,DDR6内存的频率预计在12~17GHz,问世起码还要5年时间。