近年来，ASML站在世界半导体技术的中心。去年，ASML两次提高生产目标，希望到2025年，其年出货量将达到约600台DUV(深紫外)光刻机和90台EUV(极紫外)光刻机。由于芯片持续短缺，交货问题每天都在发生，ASML就遇到过柏林工厂火灾这样的事故。
日前，ASML首席技术官马丁·范登·布林克(MartinvandenBrink)接受了Bitchips的采访。
根据马丁·范登·布林克的说法，开发高钠。
EUV科技最大的挑战是为EUV光学建立一个计量工具，配备两倍于以前产品大小的镜子，其平面度需要控制在20皮米以内。这种需要在一个能装下半个公司的真空容器中得到验证，这个真空容器位于蔡司公司，是ASML先进的高na。
EUV科技的主要光学合作伙伴后来也加入了进来。
目前，ASML有条不紊地实施其路线图，进展顺利。EUV紧随其后的是高NAEUV技术，而ASML正在向其客户交付第一台高NA。
EUV光刻机的准备工作可能会在明年的某个时候完成。尽管供应链问题可能仍然会打乱ASML的计划，但这应该不是什么大问题。高钠
EUV光刻机会比现有的EUV掩模对准器消耗更多的功率，从1.5MW增加到2MW。主要是因为光源的原因，高NA使用同样的光源，需要额外0.5MW。ASML也使用水冷铜线为其供电。
外界也想知道EUV之后的接班人高纳的技术。ASML技术副总裁乔斯
在去年的SPIE高级光刻会议上，Benschop揭示了一种可能的替代方法，即减小波长。但是这种方案需要解决一些问题，因为EUV镜反射光线的效率很大程度上取决于入射角，波长的减小会改变角度范围，使得透镜过大而无法补偿。这种现象也会随着数值孔径的增大而出现。
马丁·范登
Brink证实，ASML正在研究这一点，但个人怀疑Hyper-NA将是最后一个NA，它可能不会真正投入生产，这意味着经过几十年的光刻技术创新，我们可能会走到目前半导体光刻技术的尽头。ASMLHyper-NA研究计划的主要目标是提出智能解决方案，以保持技术在成本和可制造性方面的可控性。
高钠
EUV系统将提供0.55的数值孔径，与之前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度将得到提高，可以实现更高分辨率的构图，以实现更小的晶体管特征。在hyper-NA系统中会高于0.7甚至0.75，理论上可以做到。
马丁·范登
布林克不想创造一个更大的“怪物”。预计hyper-NA可能是半导体光刻技术下一步发展会出现问题的地方，其制造和使用成本会高得惊人。如果超NA技术的制造成本增长率与当前的高NA技术相同
EUV技术，那么经济方面几乎是不可行的。目前，马丁·范登·布林克希望克服的是成本问题。
因为可能存在不可逾越的成本限制，晶体管缩小速度在放缓。得益于系统集成的发展，继续开发新一代芯片还是值得的，这是个好消息。在这一点上，问题变得非常现实:哪些芯片结构太小，无法经济地制造？
