根据集邦咨询TrendForce发布的最新研究报告，由于部分消费电子产品需求减弱，内存价格从2021年起有所上涨
2008年第四季度开始下滑。此外，还受到许多其他因素的影响:通胀上升、俄乌战争、疫情政策、旺季需求疲软等。，所以这些销售压力从买家延伸到厂商。
针对上述情况，美光于上周宣布削减DRAM和NANDFlash的产量，成为首家正式降低产能利用率的主要内存厂商。侠客也紧随美光宣布NAND将于10月推出。
闪存容量利用率降低30%。
在NAND中
闪存方面，美光原计划从2022年第4季度开始逐步提高232层的产品比例。但随着公司减产决定的实施，预计2023年美光主流制造工艺仍将以176层产品为主，传统制造工艺的晶圆开工率也将降低。
与NANDFlash相比，是否会有大幅度减产还有待观察。除了提到目前该领域的产能利用率略有下降，美光主要强调其在2023年大幅削减资本支出，而明年
DRAM位的年增长率只有5%左右。
《装甲人》和WDC原本计划从22年第四季度开始迁移到162层的产品，但WDC在2023年放缓了资本支出。在难以获得资金和需求不明显的情况下，162
产品占比将大幅降低，公司原定2023年替代主流112层产品的计划将无法实现。
从2023年内存市场的供需情况来看，由于需求前景保守，DRAM和NANDFlash各季度严重供过于求，明年上半年库存压力将继续加速。
