三星推出了全新的3nm工艺GAAFET全包围栅晶体管架构，并已成功量产。根据三星公布的半导体技术路线图，计划在2025年开始量产2nm技术，而更先进的1.4nm技术预计在2027年量产。
根据Elec的报道，三星计划将一种名为“BSPDN(BackPowerSupplyNetwork)”的技术用于2nm芯片。三星研究员朴炳宰(ParkByung-jae)在SEDEX。
022，介绍了BSPDN的相关情况，说明技术从过去的高k金属栅工艺到FinFET，再到MBCFET，再到BSPDN。相信很多人都很熟悉FinFET，以前叫3D晶体管，是10nm工艺的关键技术。目前三星已经转向GAAFET。
在未来小芯片设计方案的帮助下，同一工艺不再适用于单个芯片，而是可以将不同代工厂不同工艺制造的各种芯片模块连接起来，也就是所谓的3D-SOC。BSPDN可以理解为小芯片设计的进化，将逻辑电路与内存模块结合在一起。与现有方案不同的是，正面将具有逻辑功能，而背面将用于电源或信号路由。
其实BSPDN也不是第一次了。作为一个概念，它是在2019年的IMEC研讨会上提出的，并在2021年被IEDM的一篇论文引用。据称，BSPDN在2nm工艺的应用，通过后端互连设计和逻辑优化，解决了FSPDN造成的前端布线堵塞，性能提升44%，功效提升30%。
