近日，据外媒报道，英伟达RTX50系列显卡所采用的GB200系列GPU将采用台积电3nm工艺。
根据最新曝光的细节，旗舰产品RTX5090的CUDA核心代号为GB202，增加了五成，总数达到24576。这比基于图灵的RTX更好
2080年的内核数量是2080的八倍多。
此外，旗舰新卡的内存带宽也将通过使用32GbpsGDDR7提升52%，高于目前RTX4090的GDDR6X。
时钟速度预计将提高15%，这是最大的升级之一。这将把RTX5090的频率提高到2.9GHz，在游戏工作负载上轻松超过3GHz。现有RTX4090的最高频率为2.52GHz。
为了进一步提高性能，NVIDIA计划将二级高速缓存增加两倍，达到128MB，远远超过AMDRX7900XTX
96MB。这一额外的高速缓存旨在最大限度地利用GDDR7带来的更高内存带宽。
如果NVIDIA能够实现这些雄心勃勃的目标，那么仅就规格而言，RTX5090的性能将比RTX4090高出70%以上。
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