近日，ASML(Asma)交付了第三代极紫外(EUV)光刻工具，新设备型号为Twinscan
NXE:3800E，搭载0.33数值孔径镜头。与以前的Twinscan相比
NXE:3600D，性能得到进一步提升，可以支持未来几年3nm和2nm芯片的制造。
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在ASML看来，TwinscanNXE:3800E代表低NA
EUV光刻技术是性能(每小时处理的晶片数量)和精度的又一次飞跃。与Twinscan相比，新的光刻设备每小时可以处理195个晶片。
NXE的数量:3600D增长了约22%，未来很可能增加到220个。此外，新工具还提供了小于1.1nm的晶圆对准精度。
即使是生产4/5nm芯片，Twinscan
NXE:3800E还可以提高效率，让厂商提高芯片生产的经济性，实现更高效、更具成本效益的芯片生产。更重要的是，Twinscan
NXE:3800E在制造2nm芯片及后续需要双重曝光的制造工艺方面效果更好。精度的提高将有利于3nm以下的工艺节点。
TwinscanNXE的价格||8@981.com3800E光刻机并不便宜，机器的复杂性和功能成本巨大，每台约1.8亿美元。但与新一代高NA相比，
EUV光刻机的报价显然还是低得多。此前有消息称，业内首个采用High—NAEUV光刻技术的TWINSCAN
exe||_8@www.example.com5200光刻机报价高达3.8亿美元。
ASML还将继续推动低NAEUV光刻设备的开发，然后带来全新的Twinscan。
NXE:4000F，计划于2026年发布，凸显了ASML对EUV制造技术的承诺。
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