美国商务部宣布，已与美光签署了一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT)，将在《芯片法案》下提供约61.4亿美元的直接赠款，外加75亿美元的贷款，以提高美国在尖端存储半导体生产方面的竞争力。这些投资将推进美光未来20年将约40%的DRAM芯片生产转移至美国的计划。
美光总裁兼首席执行官桑杰
梅赫罗特拉表示，这是美国半导体制造业的历史性时刻，美光领先的存储器是满足日益增长的人工智能需求的基础，这将创造许多高科技工作岗位。美光的拟议投资将设在纽约和爱达荷州，以创建一个由美国领先的DRAM芯片组成的强大生态系统：
克莱，纽约-
计划中的四个晶圆厂中的前两个属于DRAM，是美光未来20年在纽约投资约1,000亿美元的长期计划的第一步。每家工厂都有600000平方英尺的洁净室面积，四家工厂总共有240万平方英尺的洁净室空间，是美国有史以来申报的最大的洁净室空间，面积相当于近40个足球场。
爱达荷州的男孩-
投资250亿美元建设一个拥有约600000平方英尺洁净室的大型工厂，专注于生产领先的动态随机存取存储器芯片。这与美光的研发设施位于同一地点，以提高其研发和制造业务的效率，减少技术转让的延迟，并缩短尖端内存产品的上市时间。
美光承诺在未来六年内耗资500亿美元建造首批三个晶圆厂，预计将在纽约州创造9,000多个制造业和设施就业岗位以及4,500个建筑业就业岗位，并在爱达荷州创造2,000多个制造业和设施就业岗位和4,500个建筑业就业岗位。
