据媒体报道，三星即将在2024年VLSI研讨会上展示第三代GAA(栅极全能)晶体管在其2NM(SF2)工艺中的技术特征，并将于6月16日至20日分享更多关键细节。
三星表示，这一新工艺不仅优化了多桥沟道场效应晶体管(MBCFET)的架构，还引入了独特的外延和集成工艺。|0@4299.com
三星一直在寻求半导体技术的突破，特别是在经历了之前与高通合作中的工艺挑战后，三星更致力于通过2NM等先进工艺技术巩固市场地位，与台积电等竞争对手竞争。
为了加强2NM工艺生态圈的建设，三星吸引了50多家合作伙伴。此外，今年2月，三星宣布与ARM合作，基于最新的GAA晶体管技术对下一代ARMCortex-X/Cortex-ACPU内核进行优化，进一步提高性能和效率，带来前所未有的用户体验。
不仅如此，三星还计划推出第三代3nm工艺，旨在继续提高芯片密度、降低功耗，并努力提升良品率。此前，三星最初的3nm制程在良品率方面遇到了挑战。有传言称，其早期良品率仅为20%，主要用于生产加密货币相关芯片。然而，三星并没有气馁，而是继续在研发上投入，以期在未来的过程中取得更好的表现。
