此前，三星发布了到2027年的工艺技术路线图，列出了2022年6月SF3E(3Nm)的量产。
GAA，3GAE)，包括SF3(3GAP)，SF3P(3GAP+)，SF4P，SF4X，SF2，SF3P，SF2P和SF1.4等。三星计划今年带来第二代3nm技术，或SF3，据传正在试生产。不过，此前有消息人士称，三星有意将第二代3纳米制程改为2纳米制程。
据韩国商业新闻社报道，三星将于今年6月16日至20日举行VLSI研讨会。
2024发表了一篇关于2nm(SF2)工艺中使用的第三代GAA(栅极全能)晶体管的技术特性的论文，并带来了更多关键细节。
三星表示，新工艺将进一步完善多桥沟道场效应晶体管(MBCFET)架构，采用独特的外延和集成工艺。与基于FinFET的工艺相比，晶体管性能提高了11%~46%，变化率降低了26%，漏电流降低了约50%。根据三星的计划，SF2的S技术开发工作将于2024年第二季度完成，届时其芯片合作伙伴将能够选择在工艺节点设计产品。
三星的努力不仅是为了突破技术边界，更是在过去一段时间里加强了2NM工艺生态圈的建设，拥有50多个合作伙伴。今年2月，三星宣布与ARM建立合作伙伴关系，以优化基于最新GAA晶体管技术的下一代ARM
Cortex-X/Cortex-ACPU内核最大限度地提高了性能和效率，将用户体验提升到了一个新的水平。
同时，三星还计划推出第三代3nm制程，以继续增加密度和降低功耗，但也需要继续提高良品率。三星最初的3纳米制程很难成功。有传言称，早期良品率仅为20%，主要用于生产加密货币芯片，缺乏大客户的订单支持。
