近年来，ASML已成为世界半导体技术的中心，成为先进半导体生产和供应链中的关键一环。目前ASML有序地执行其路线图，紧随其后的是High-NA的EUV
EUV技术，该行业的第一台High-NAEUV光刻机于去年年底交付给英特尔。尽管该行业刚刚准备进入High-NA
在EUV时代，ASML已经开始研究下一代Hyper-NAEUV技术，寻找合适的解决方案。
据外媒报道，ASML宣布了下一代Hyper-NAEUV技术的路线图，该技术仍处于早期开发阶段。前ASML首席技术官马丁·范登
Brink在今年5月举办了IMECITF
世界在他的演讲中说，从长远来看，照明系统需要改进，必须使用Hyper-NA，所有系统的生产效率都需要提高到每小时400到500个晶圆。
ASML计划在2030年左右提供Hyper-NAEUV光刻机，数值孔径为0.75。相比之下，High-NA
EUV提供的数值孔径为0.55，EUV为0.33。随着精度的进一步提高，可以实现更高分辨率的图案化和更小的晶体管特征。对于ASML来说，未来的Hyper-NA技术还将推动其整体EUV能力平台，以改善成本和交付周期。
超NA技术肯定会带来一些新的挑战，比如光致抗蚀剂，需要变得更薄。根据IMEC，High-NA高级图案项目总监KurtRonse的说法
EUV应该能够覆盖从2nm到1.4nm，然后到1nm甚至0.7nm的工艺节点。之后，Hyper-NAEUV将开始接手。
