三星在2021年高调制定半导体扩张计划，表示未来十年将投资1515亿美元建设晶圆厂，并在3nm工艺节点引入全新的GAAFET全包围栅晶体管工艺。计划2022年上半年量产第一代3nm工艺，2023年量产第二代3nm工艺。三星希望提高产能，加快工艺技术的研发，拉近与领头羊TSMC的距离。
一般在讨论三星半导体制造工艺的时候，我们会把重点放在先进的工艺节点上，比如3nm/4nm/5nm工艺。事实上，三星与TSMC的差距不仅仅在于技术的先进程度，还在于成熟工艺节点的产能和相关供应链的匹配程度。根据业务
韩国报道称，三星正在考虑建立自己的芯片测试和封装工厂，以便更好地为合作伙伴提供全方位服务。三星还打算改进旧工艺以提高性能和成本竞争力，同时扩大制造CMOS图像传感器(CIS)等芯片的成熟工艺节点产能。
去年在“三星代工论坛2021”论坛上，三星推出了针对CIS、DDI、MCU的17LPV工艺，即低功耗。
17nm价值过程。作为28纳米的衍生工艺，14纳米工艺中使用的FinFET技术是在原有工艺的基础上增加的，以相对较低的成本享有新的技术优势。与原有的28nm工艺相比，芯片面积可减少43%，性能可提高39%或功耗可降低49%。
据传，三星计划到2026年，其代工业务的客户将超过300家。相比之下，TSMC预计将在2022年拥有超过500名客户，而三星仅超过100名，相差5倍。目前，在TSMC的收入中，先进技术和成熟技术各占一半左右，而三星的先进技术占了大部分收入。此外，三星在汽车和人工智能领域的芯片制造仍处于初级阶段，这将是其代工厂未来能否持续增长的关键。
