它是半导体制造中光刻机的核心设备之一。EUV光刻机仅由ASML研发和生产，但它有许多技术限制。俄罗斯计划开发一种全新的EUV光刻机，它使用X射线技术，可以在没有光掩模的情况下生产芯片。
不过决定光刻机分辨率的主要因素就是三点，分别是常数K、光源波长及物镜的数值孔径，波长越短，分辨率就越高，现在的EUV光刻机使用的是极紫外光EUV，波长13.5nm，可以用于制造7nm及以下的先进工艺工艺。，光刻机的结构和技术非常复杂
俄罗斯莫斯科电子技术学院
(MIET)现已从贸工部获得6.7亿卢布(约合人民币5100万元)，也想要开发制造芯片的光刻机，而且号称要达到EUV级别，但技术原理完全不同，他们研发的是基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机。.
X射线掩模版光刻机使用的是X射线，其波长在0.01nm到10nm之间，比EUV极紫外短，所以光刻分辨率高很多。另外，X射线光刻机比EUV光刻机有一个优势，就是不需要光掩模，可以用于直写光刻，也省了不少钱。
因为这两个特点，俄罗斯要研发的X射线光刻机优势很大，甚至被当地的媒体宣传为全球都没有的光刻机，ASML也做不到。
据相关资料显示，目前世界上还没有能实现量产的X射线掩模版光刻机。但是，现在还没有这种技术。不仅在美国和欧洲有研究，国内科研机构也做了X射线掩模对准器。但是芯片生产的效率无法和ASML的光刻机相比，只适用于特定的场景。
然而，俄罗斯在X射线和等离子等技术方面有着深厚的基础，但我们可以期待他们在新的掩模光刻机中能走多远。
