在去年7月的“英特尔加速创新：制造技术和封装技术在线会议”上，英特尔展示了一系列底层技术创新，以推动2025年及以后的新产品开发。除了宣布其在过去十年中第一个新的晶体管架构RibbonFET和业界第一个新的背面电力传输网络PowerVia，英特尔还强调了其快速采用下一代极紫外光刻(EUV)技术的计划，即高数值孔径(高NA)EUV，并将部署业界第一个高NA。
EUV掩模对准器。
英特尔最新的流程路线图看起来非常积极。是一个四年内提升五个流程节点的计划。虽然帕特基尔辛格(Pat
Gelsinger)重返英特尔担任CEO后，蓝色巨人的业绩有所改善，但鉴于其过去几年的疲软表现，许多人对这一进程路线图持保留意见。最近，半导体咨询公司IC
知识总裁Scotten Jones为SemiWiki写了一篇文章，谈到了从怀疑英特尔的计划到获得信心的过程。
Scotten Jones分析了可能的研发活动。我们相信，随着英特尔越来越多地使用极紫外(EUV)光刻设备，以及英特尔越来越多地使用EUV光刻设备
将RibbonFET和PowerVia两项突破性技术引入20A工艺节点，将取得巨大突破。预计在2024年底(原说法是2025年初)，英特尔将推出一款带有RibbonFET的改进型英特尔。
18A，那么它有可能在2025年超过TSMC的N2工艺节点，并在性能功耗比方面领先。
