从7nm工艺的节点来看，三星在工艺研发和生产上并不成功。这两年5nm和4nm工艺生产的芯片，效率和良率都有很大问题。虽然三星在2021年高调制定了半导体扩张计划，确认将在3nm工艺节点引入全新的GAAFET全能栅晶体管，并计划在2022年上半年量产第一代3nm工艺，但似乎遇到了更大的困难。
据DigiTimes报道，有报告详细介绍了三星在3nm工艺节点和GAA技术方面的进展。说明3nm工艺也是困难重重，良品率徘徊在10%-20%之间，远不及预期。目前三星虽然做到了骁龙，但在4nm工艺生产上一直举步维艰。
Gen1订单，但良品率只有35%左右，这也解释了为什么高通打算提高骁龙8 Gen 1的价格。
此外，订单被转移到TSMC。如果三星在3nm工艺上生产是真的，将很难赢得订单，很可能失去高通、英伟达等大客户。
有消息称，三星将首先在自家芯片的生产中使用3nm工艺，很可能是Exynos系列新品。此前，三星移动业务总裁TM
Roh在内部会议上表示，将为Galaxy系列设备开发定制的SoC。不清楚是否与之有关。
TSMC计划在N3工艺节点仍然使用FinFET晶体管，GAA技术直到N2工艺节点才会引入。预计后者将于2025年底进入量产。就目前而言，没有任何消息表明TSMC由于转向GAA技术而遇到了困难。总的来说，TSMC的芯片生产质量比三星好。
