TSMC的目标是在2025年量产其N2工艺，但现阶段主要是其他N3工艺的产量和良率，后者被视为世界上最先进的芯片制造技术之一。借助英特尔流星技术
莱克的延期和N3流程的效率并没有让苹果满意。TSMC明年很可能会放弃N3工艺，将重心转移到N3E工艺进行量产，属于第二版3nm工艺。
虽然TSMC的短期工艺推进计划似乎受到了一些挫折，但这并没有影响其技术研发。近日，TSMC研发与技术高级副总裁YJ
Mii博士分享了更多信息。据Wccftech报道，TSMC将在下一阶段转向更大镜头的机器，并计划在2024年推出高NA。
EUV掩模对准器通常被认为用于2纳米芯片的制造。
据ASML(ASML)介绍，新的高数值孔径(High-NA)EUV系统将提供0.55数值孔径，与之前配备0.33数值孔径镜头的EUV系统相比，其精度将有所提升。它可以实现更高分辨率的构图，以实现更小的晶体管特征，同时，它可以每小时生产200片以上的晶片。英特尔此前宣布购买业界第一台TWINSCAN。
EXE:5200系统，计划从2025年开始由高纳EUV生产。
TSMC将在2024年获得高分
EUV光刻机之后，它将只用于研发；d和协作，期间会根据自己的要求进行调整，然后在适当的时候用于量产。与3纳米工艺节点不同，2纳米工艺节点将使用全能栅极。
TSMC说，与3纳米工艺相比，场效应晶体管(GAAFET)的性能将提高10%至15%，功耗也可降低25%至30%。预计N2工艺将于2024年底做好风险生产准备，2025年底进入量产。客户将在2026年收到第一批芯片。
